【摘 要】
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新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(
【机 构】
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上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室; 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61704029,61874028,61834009)
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新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(ASIC)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的纳米器件逻辑门电路。使用基于硬件描述语言的缺陷注入技术来仿真架构,仿真结果表明,这种架构可以100%检测缺陷和错误。为取得最小的纠错代价,需要保持尽可能小的单元阵列尺寸。Hspice软件仿真结果表明,碳纳米管或非(NOR)门输出延迟为2.89 ps,平均功耗为6.748 pW,与现有CMOS技术相比功耗降低2个数量级。
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