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采用分子束外延的方法,生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内,测量了器件的I-V曲线。
THz量子级联激光器的材料生长和器件制作
【摘 要】
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采用分子束外延的方法,生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内,测量了器件的I-V曲线。
【机 构】
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中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
【出 处】
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第六届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2007年4期
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