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美国IBM公司和日本TDK公司将发起一项联合研发计划，重点开发高容量、高密度的磁阻内存电路，以推动磁阻内存的量产和市场推广。传统内存通常使用电荷存储数据，而磁阻内存则使用电磁性能存储数据，其没有读写次数的限制。功耗也更低，速度比目前的闪存还要快。如果磁阻内存获得推广。操作者可在几秒钟内启动系统。