注入剂量对离子注入法制备Al-N共掺杂P型ZnO的影响

• 作 者: 杜记龙 江美福 张树宇 王培君
• 机 构: 苏州大学物理科学与技术学院,复旦大学现代物理研究所
• 出 处: 材料科学与工程学报
• 发表日期: 2011年1期
• 关键词: 等离子体浸没离子注入 磁控溅射 共掺杂 p-ZnO radio-frequency（RF） magnetron PIII co-sputtering p-

采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体（O2/O2＋NO=75%）、等离子体浸没离子注入（PIII）方法在不同的工艺条件下得到了不同N＋注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理。通过XRD图谱、霍尔效应（Hall）测试结果、光致发光光谱（PL）、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了N＋注入剂量对ZnO∶Al∶N薄膜性质的影响。结果表明,注入剂量控制在1015cm-2量级时,N可以通过占据O空位和替换O原子形成NO并与