ZnO—Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

• 作 者: 王晓华 范希武 单崇新 张振中 张吉英 刘益春 吕有明 申德
• 机 构: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2003年1期
• 关键词: 退火条件 ZnSe薄膜 硒化锌薄膜 SI衬底 ZnO缓冲层 LP-MOCVD 硅衬底 薄膜生长 氧化锌 半导体材料 ZnSe film Si-substrat
• 基金项目: 国家攀登计划，国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目，中国科学院"百人计划"

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响.当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时,从X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)中可见,ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化.变温的PL谱表明,Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射.