【摘 要】
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据《Compound Semiconductor》2009年第1/2期报道,IMEC通过优化顶层结构来进一步提高增强型(E)GaN HEMT的性能,从安全角度来说一般要求使用增强型的器件,而不是工作在耗尽模
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据《Compound Semiconductor》2009年第1/2期报道,IMEC通过优化顶层结构来进一步提高增强型(E)GaN HEMT的性能,从安全角度来说一般要求使用增强型的器件,而不是工作在耗尽模式下。目前该研究中心的击穿电压是800V,正在研制击穿电压1000V的GaN器件,并开展器件的可靠性研究。在同
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