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研究了MEMS封装用AlN共烧基板中,浆料对基板平整度和电性能的影响.共烧基板浆料以W为导电材料,SiO2为添加剂配制而成,结果表明SiO2的质量分数在0.45%时,AlN多层布线共烧基板的导带方阻达到10mΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/50mm.
MEMS封装用氮化铝共烧基板研究
【摘 要】
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研究了MEMS封装用AlN共烧基板中,浆料对基板平整度和电性能的影响.共烧基板浆料以W为导电材料,SiO2为添加剂配制而成,结果表明SiO2的质量分数在0.45%时,AlN多层布线共烧基板
【出 处】
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仪器仪表学报
【发表日期】
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2002年z1期
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