【摘 要】
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应变Si是一种能在未来保持SiCMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料．本文结合SOI技术，利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底，并使用超高真空化学气相沉积在
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应变Si是一种能在未来保持SiCMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料．本文结合SOI技术，利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底，并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜．扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦；高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明：样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀；紫外拉曼光谱证实了顶层Si中荻得了1％的平面张应变，基于此的MOS器件有望获得比传统体si大大提升的性能．
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