【摘 要】
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基于在PEDOT层上旋涂可热交链的NPD二聚体(VB-NPD)做空穴注入层实现高效率的聚合物发光二极管(PLED),采用的器件结构为ITO/PEDOT(40nm)/VB-NPD/PFBT5(40nm)/TPBI(20nm)/CsF(1
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所,
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基于在PEDOT层上旋涂可热交链的NPD二聚体(VB-NPD)做空穴注入层实现高效率的聚合物发光二极管(PLED),采用的器件结构为ITO/PEDOT(40nm)/VB-NPD/PFBT5(40nm)/TPBI(20nm)/CsF(1nm)/Al(100nm)。通过调节VB-NPD层的厚度发现,当VB-NPD层的厚为20nm时,得到器件的最大发光效率和最大亮度分别为15.0cd/A和32200cd/cm2。改善的器件性能归为VB-NPD层对电子的有效阻挡和形成级联式的PEDOT/VB-NPD空穴注入。
A highly efficient polymer light emitting diode (PLED) was fabricated by spin-coating a thermally cross-linkable NPD dimer (VB-NPD) on a PEDOT layer using a hole injection layer. The device structure was ITO / PEDOT (40nm) / VB -NPD / PFBT5 (40 nm) / TPBI (20 nm) / CsF (1 nm) / Al (100 nm). By adjusting the thickness of the VB-NPD layer, it was found that when the thickness of the VB-NPD layer is 20 nm, the maximum luminous efficiency and the maximum brightness of the device are 15.0 cd / A and 32,200 cd / cm2, respectively. Improved device performance is attributed to the effective blocking of electrons by the VB-NPD layer and the formation of a cascaded PEDOT / VB-NPD hole injection.
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