氧化铱膜修饰微电极的制备及痕量砷(Ⅲ)测定

• 作 者: 杜亚琳 李建平
• 机 构: 桂林工学院材料与化学工程系
• 出 处: 分析测试学报
• 发表日期: 2007年3期
• 关键词: 氧化铱 修饰微电极 砷(Ⅲ)

通过在铱丝尖端电沉积氧化铱，制成氧化铱膜修饰微电极，研究了其电化学性质，测定了电极反应的动力学常数，电极反应的电子转移数为1，电子转移系数0．55，表观电子传递速率为0．18^-1。在pH 4．5的磷酸缓冲溶液中，氧化铱膜修饰微电极对As（Ⅲ）的氧化有明显催化作用，可用于痕量As（Ⅲ）的测定，氧化峰电位为0．62V。峰电流与As（Ⅲ）的浓度在5×10^-8．8×10^-5moL／L范围呈良好的线性关系，检出限5×10^-9mol／L，响应时间小于1s。该电极制作简单，稳定性和