【摘 要】
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本文在多次实验中选择的低补偿度ｎ－Ｈｇ１—ｘＣｄｘＴｅ样品上测量了０—１０ｍＴ弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应．初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对
【机 构】
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红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所
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本文在多次实验中选择的低补偿度ｎ－Ｈｇ１—ｘＣｄｘＴｅ样品上测量了０—１０ｍＴ弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应．初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响．
In this paper, we measured the transverse reluctance and longitudinal reluctance of weak magnetic field in the range of 0-10mT on low-compensation n-Hg1-xCdxTe samples selected in many experiments, and observed the negative reluctance correction caused by weak local in three-dimensional electron system effect. The sample size, the relative orientation of the magnetic field and the current, and the effect of temperature on weak local effects are discussed preliminarily.
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