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以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用喷雾热分解法在管状石英玻璃基材上制备出Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜,并采用X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）对薄膜的结构和表面形貌进行了分析,研究了Sb掺杂量和喷涂温度对薄膜方阻及结构的影响.结果表明：当Sb掺杂量为6mol%、成膜温度为500℃时,薄膜的方阻达到最低（65Ω/□）,结构最致密.