P型微晶硅碳的性能研究及其在柔性衬底太阳电池中的应用

• 作 者: 蔡宏琨 陶科 赵敬芳 胡居涛 张德贤
• 机 构: 南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津,300071;东京工业大学,东京226-8503
• 出 处: 太阳能学报
• 发表日期: 2012年11期
• 关键词: 微晶硅碳薄膜 太阳电池 柔性衬底 PEN

采用RF-PECVD技术,将甲烷(CH4)作为碳的掺杂源沉积P型微晶硅碳薄膜材料,主要讨论P型微晶硅碳材料的结构和性能随CH4掺杂量的变化.采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪和傅里叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行表征.随CH4掺杂量的增加,材料的暗态电导率σd减小,薄膜的晶化程度降低.通过调整CH4的掺杂量得到暗态电导率σd为0.15S/cm和光学带隙Eg大于2.0eV的P型微晶硅碳材料.将其应用到PEN柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池上,得到电池效率为5.87％.