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采用微波等离子体化学气相沉积法，以CH4-CO2为气源，通过改变CO2的流量，探讨了此气源下金刚石膜的生长情况。利用扫描电子显微镜对制备的金刚石膜表面形貌和断面进行了表征，采用Raman和X射线衍射仪对金刚石膜的质量和晶体结构进行分析。结果表明，CH4流量为50mL/min时，CO2流量在20～40mL/min范围内可以沉积出完整的金刚石膜，CO2的流量对金刚石膜的表面形貌影响较大，在CO2/CH4=30∶50条件下，沉积速率可达到3.4μm/h，同时可以制备出高质量的金刚石膜。