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采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱处理延材料的制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子直径尺寸的减少而增大。
GaAs／AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
【摘 要】
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采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱处理延材料的制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子直径尺寸的减少而增大。
【机 构】
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北京半导体超晶格国家重点实验室
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1998年3期
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