【摘 要】
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对半导体硅及其器件芯片中的诱生热缺陷,用XCD-H红外电视显微镜进行了无损检测.通过显微拍照和磁带录相,获得了电活性位错与堆垛层错微区金属杂质富集以及氧沉淀环状活性团等
【机 构】
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江西大学物理系,江西大学物理系,衡阳光学仪器厂,衡阳光学仪器厂
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对半导体硅及其器件芯片中的诱生热缺陷,用XCD-H红外电视显微镜进行了无损检测.通过显微拍照和磁带录相,获得了电活性位错与堆垛层错微区金属杂质富集以及氧沉淀环状活性团等清晰的红外透视图象.结果表明,该种红外透视的系统能够提供相当重要的信息,因而将对器件工艺的质量分析,进一步提高芯片的内在质量产生有益的影响.
Non-destructive testing of induced thermal defects in semiconductor silicon and its device chips was performed using an XCD-H infrared microscope.The electroactive dislocations and stacking faults in the micro-zone of metallic impurities were obtained by photomicrography and videotape recording Enriched and oxygen-precipitated cyclic active groups, etc. The results show that this infrared see-through system can provide quite important information and thus will benefit the quality analysis of the device process and the further improvement of the intrinsic quality of the chip Impact.
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