高压GaAs微型太阳电池阵列的制备

• 作 者: 白一鸣 陈诺夫 王彦硕 王俊 黄添懋 汪宇 张兴旺 尹志刚
• 机 构: 华北电力大学新能源与可再生能源北京市重点实验室,北京,102206;中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京,100083
• 出 处: 微纳电子技术
• 发表日期: 2011年4期
• 关键词: 微型电源 GaAs太阳电池 漏电流 湿法腐蚀工艺 互连结构

为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进.通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制.采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流.经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列.电流-电压(Jsc-Voc)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2 V,填充因子为57%.