【摘 要】
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研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,
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研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
A GaAs-based wavelength-tunable resonator-enhanced detector was developed. The In_ (0.25) Ga_ (0.75) As / GaAs quantum well was grown by molecular beam epitaxy as the active region of the device without any bias voltage At 1071 nm, the device achieves tuning of wavelengths greater than 23 nm at a DC tuning voltage of 21 V. The statistical results show a stable and accurate correspondence between the tuning voltage and the response wavelength when the tuning voltage is greater than 5 V , And the approximate linear tuning, at the same time, the characteristics of the device response to a theoretical analysis.
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