【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不
【机 构】
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太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（21471111,61604104）, 山西省基础研究项目（201601D202029）, 山西省科技创新重点团队（201605D131045-10）
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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 075℃时,所生长的GaN呈现出类金字塔状微米锥结构;当生长时间由3 min延长至20 min时,微米锥的底面直径由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×10~3cm~（-2）降低至0.8×10~3cm~（-2）;压力及Ⅴ/Ⅲ比共同决定该结构顶部
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