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采用基于密度泛函理论的第一性原理，研究了硼原子和氮原子掺杂对八氢萘纳米带能带结构的调控作用。研究结果显示硼原子和氮原子掺杂可以有效地调控八氢萘纳米带的能带结构：单双硼氮原子掺杂可以实现对八氢萘纳米带能带的半导体化；掺杂原子的浓度对八氢萘纳米带能带结构也有影响，提高掺杂原子浓度可以获得与单原子掺杂完全不同的能带结构。