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采用喇曼散射谱、扫描电子显微镜（SEM）和X-射线衍射（XRD）对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析，并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试，结果表明：掺磷后导致薄膜的非晶化。与本征氢化微硅晶（μc-Si：H）薄膜相比。掺杂后薄膜暗电导率略有降低，但降低的程度与其体的沉积条件有关。另外掺杂薄膜易进行快速光热退火晶化。