调制掺杂AlxGa1—xN／GaN异质结磁输运研究

• 作 者: 郑泽伟 桂永胜
• 机 构: 南京大学物理系,中国科学院上海技术物理研究所红外物理
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2000年4期
• 关键词: 异质结 第二子带占据 氮化镓 磁输运 二维电子气 Heterostructures Shubnikovde Hass oscilation Double sub
• 基金项目: NationalNaturalScienceFoundationofChina(No .6980 60 0 6,699760 14,696360 10and 699870 0 1) ,,andtheNationalHighTechnologyRes

通过低温和高磁场下的磁输运测量，首次在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结中观察到了舒勃尼科夫－德哈斯振荡的双周期特性，发现在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结的三角势阱中产生了二维电子气（２ＤＥＧ）的第二子带占据，发生第二子带占据的阈值２ＤＥＧ浓度估算为７．２＊１０＾１２ｃｍ＾－２，在阈值２ＤＥＧ浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为７５ｍｅＶ。