【摘 要】
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在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟.由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采
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在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟.由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化.器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm.高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm.高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础.
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