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以X射线衍射仪(XRD)研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构,通过原子力显微镜(AFM)分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌.以热氧化的硅片作为绝缘栅极,并五苯作为有缘层,采用底接触结构,研制场效应晶体管.经过测试得到其场效应迁移率为1.23cm/Vs,开关电流比>106.