Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

• 作 者: 付正 张立同 成来飞 龚磊 何国梅 罗立志 夏海平
• 机 构: 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室厦门大学化学化工学院
• 出 处: 2007年航空装备及先进制造技术国际学术会议
• 发表日期: 2007年6期
• 关键词: 氧化钇 CVD-SiC基片 化学气相沉积 沉积温度

采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.