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采用热蒸发法制备了非晶Si O2纳米线/纳米颗粒复合结构,确定了非晶Si O2纳米线、微米颗粒及Si O2纳米线/纳米颗粒复合结构生长的工艺条件,并利用XRD、SEM、Raman、PL光谱等技术手段分析表征样品。实验结果表明,在不同的沉积温度范围内,生长样品的形貌和结构不同;Si O2纳米线/纳米颗粒复合结构的发光区与Si衬底明显不同,主要集中在黄绿光范围。