铝中注N^＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chnlaozhang

【摘要】

：

＜１００＞Ｓｉ衬底上淀积厚度为７００ｎｍ的铝薄膜（铝中含０．８５ｗｔ．％的Ｃｕ）．以剂量为４．３×１０１７－１．５×１０１８ｃｍ－２４００ｋｅｖＮ＿２＋或３５０ｋｅＶＮ＋的注入到铝薄膜中或铝和硅的界面。用扩展电阻测试．背散射和沟道技术

【作者】

：

林成鲁李金华 Hemment.P.L.F

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所,常州半导体厂,萨里大学

【出处】

：

核技术

【发表日期】

：

1994年7期

【关键词】

：

氮化铝离子注入杂质偏析 N￣+ ion implantation Aluminium nitride Cu impurity segregation

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