70nm技术段各种光刻技术的成本比较

• 出 处: 电子工业专用设备
• 发表日期: 2001年02期
• 关键词: 光刻技术 nm 成本比较 掩模 生产效率 设备价格

下一代光刻技术技术段 /ｎｍ掩模价格 /＄ 生产效率 /片·ｈ-1设备价格 /＄每片成本 /＄15 7ｎｍ +ＰＳＭ 70 330 0 0 5 0 160 0万 35ＥＰＬ (电子束 ) 70 30 0 0 0 2 0 15 0 0万 5 2ＥＵＶ (极紫外 ) 70 2 80 0 0 80 2 0 0 0万 30(注 : 为 2 0 0 0年 5月国际Ｓｅｍａｔｅ

Next Generation Lithography Technical Segment / nm Mask Price / $ Productivity / Sheet · h-1 Equipment Price / $ Cost per Sheet / $ 15 7nm + PSM 70 330 0 0 5 0 160 0 0 35EPL (Electron Beam) 70 30 0 0 0 2 0 15 0 0 5 million 2 EUV (extreme ultraviolet) 70 2 80 0 0 80 2 0 0 0 30 (Note: as of May 2000 International Semate