温度引起的ZnSe／Zn0.84Mn0.16Se超晶格中势阱层和势垒层的反转

• 作 者: 李国华 王杰
• 机 构: 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,复旦大学
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1999年11期
• 关键词: 半导体材料 超晶格 势阱层 势垒层 温度 ZNSE
• 基金项目: 国家攀登计划,国家自然科学基金

测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ 附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 层的应变可能是反转温度变低的原因．