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变存储器（phase change memory，PCM)是一种颇具前景的新型存储器件，具有非易失性、静态功耗低和存储密度高的优点.然而，该类器件的低写入寿命是其在实用化中亟待克服的关键问题之一.一般来说，通过每次写入时仅写入相异位的策略，可以减少产生的平均写入量，从而延长PCM的写入寿命.然而，应用这一差异式的写入策略通常又会以降低读写速度为代价.为此，提出了一种兼具高效和快速特点的写入量减少方法FEBRE(a fast and efficient bit-flipping reduction tech