GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究

• 作 者: 李晓婷 王一丁 汪韬 殷景致 王警卫 赛小锋 高
• 机 构: 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,吉林大学电子工程学院,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西北大学电子工程系
• 出 处: 光子学报
• 发表日期: 2005年9期
• 关键词: LP-MOCVD GASB INASSB 生长温度 LP-MOCVD GaSb InAsSb Growth temperature
• 基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.