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【摘 要】
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我们用MOCVD技术在(0001)取向的蓝宝石衬地上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7％时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明二价的Mn离子替换了三价的Ga离子。尽管如此,薄膜还是仅仅表现出顺磁性。通过Brillouin函数拟合以及ESR结果综合考虑可得,Mn在
【机 构】
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江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2008年10期
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