【摘 要】
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报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管 .特别是 ,提供了一种制造量子线和量
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系,香港科技大学物理系,香港科技大学物理系 西安710048,西安710048,香港,香港
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报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺 ,在 p型 SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管 .特别是 ,提供了一种制造量子线和量子点的工艺方法 ,在器件的电流 -电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应 .器件的总电容约为 9.16 a F.在 77K工作温度下 ,也观测到明显的电流 -电压振荡特性
A single electron transistor successfully fabricated on p-type SIMOX (separation by implanted oxygen) silicon wafers was reported using electron beam lithography, reactive ion etching, thermal oxidation, etc. In particular, a method of fabricating a quantum wire And QDs, the obvious Coulomb blockage and single electron tunneling effect were observed on the current-voltage characteristics of the device.The total capacitance of the device is about 9.16 a F. At 77K operating temperature, significant Current-voltage oscillation characteristics
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