TiY2N@C80电子结构的第一性原理研究

• 作 者: 李淑娟 类淑来 黄静 李群祥
• 机 构: 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室,安徽建工学院材料与化工学院
• 出 处: 化学物理学报
• 发表日期: 2011年4期
• 关键词: TiY2N@C80 电子结构 载流子掺杂 化学修饰 第一性原理计算 TiY2N@C80 Electronic structure Doping Chemi
• 基金项目: This work was supported by the National Natural Science Foundation of China （No.20903003, No.11074235, and No.11034006）, the National Basic Research Program （No.2011CB921404）, the Chinese Academy of S

采用第一性原理方法研究了TiY2N@C80分子的几何、振动和电子性质．理论计算结果表明TiY2N@C80分子的电子结构性质明显与Sc3N@C80和Y3N@C80的不同，而与TiSc2N@C80相近．对TiY2N@C80分子进行载流子掺杂时，其磁性发生淬灭．此外，对C80笼子进行吡咯烷化学修饰，可以有效增加内嵌团簇的旋转势垒的高度，使得内嵌团簇在碳笼内更加稳定．