【摘 要】
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本文是以Cu/Nb系金属超晶格材料和Si/SiN系半导体超晶格材料作为俄歇电子能谱进行超晶格材料多层结构分析的初次入门,并获得了两种材料深度剖析结果,且观察到Si/SiN半导体超
【机 构】
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南京工学院,南京工学院,南京工学院,
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本文是以Cu/Nb系金属超晶格材料和Si/SiN系半导体超晶格材料作为俄歇电子能谱进行超晶格材料多层结构分析的初次入门,并获得了两种材料深度剖析结果,且观察到Si/SiN半导体超晶格材料的二次电子吸收电流像。
In this paper, we first introduced the multi-layer structure analysis of superlattice materials using Cu / Nb superlattice materials and Si / SiN superlattice materials as Auger electron spectroscopy, and obtained two kinds of depth analysis results , And the secondary electron absorption current image of Si / SiN semiconductor superlattice material was observed.
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