高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

• 作 者: 邓建国 刘英坤 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋
• 机 构: 中国电子科技集团公司第十三研究所
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 2008年6期
• 关键词: 硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管 Si equi-planar and self-aligned technology microwave puls

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。