【摘 要】
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前言随着光纤中氢氧根浓度的下降,人们已发现在InGaAsP/InP发射的整个波长范围内(1.1μm～1.65μm),光传输的损耗都比目前采用的GaAlAs/GaAs(0.85μm)要低得多。所以国内外都
【机 构】
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中国科学院上海有色金属研究所,中国科学院上海有色金属研究所,中国科学院上海有色金属研究所,中国科学院上海有色金属研究所,中国科学院上海有色金属研究所,中国科学院上海有色金属研究所
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前言随着光纤中氢氧根浓度的下降,人们已发现在InGaAsP/InP发射的整个波长范围内(1.1μm～1.65μm),光传输的损耗都比目前采用的GaAlAs/GaAs(0.85μm)要低得多。所以国内外都在积极开展长波长光源及探测器材料InGaAsP/InP的研究,亦都取得了相当的进展。从器件应用的角度来看,除了要求各层厚度、载流子浓度、晶体完整性、杂质种类外,还要求外延层间界面要十分平直,外延层表面要平坦,无残留InP液以及各层的掺
Introduction As the concentration of hydroxyl groups in fibers decreases, it has been found that in the entire wavelength range of InGaAsP / InP emission (1.1μm ~ 1.65μm), the loss of optical transmission is less than that of GaAsAs / GaAs (0.85μm) Much lower. So at home and abroad are active in long-wavelength light source and detector material InGaAsP / InP research, have also made considerable progress. From the point of application of the device, in addition to the thickness of each layer, carrier concentration, crystal integrity, impurity species, the interface between the epitaxial layers is also required to be very straight, the epitaxial layer surface should be flat, no residual InP solution and each Layer of doped
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