【摘 要】
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本文利用X射线貌相方法观察分析无位错硅单晶生长过程中的几种现象。基于实验结果分析讨论籽晶熔接面处位错的产生、延伸和消除的规律,描述无位错硅单晶小平面生长机理以及破
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,
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本文利用X射线貌相方法观察分析无位错硅单晶生长过程中的几种现象。基于实验结果分析讨论籽晶熔接面处位错的产生、延伸和消除的规律,描述无位错硅单晶小平面生长机理以及破坏无位错硅单晶生长的几种情况。首次用貌相方法观察到孪晶界区域中的位错,最后还讨论单晶尾部的位错返回和克服该问题的两种方法。
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