SnO_2∶(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究

• 作 者: 闫军锋 张志勇 邓周虎 赵武 王雪文
• 机 构: 西北大学信息科学与技术学院西北大学信息科学与技术学院陕西西安陕西西安
• 出 处: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2007年S1期
• 关键词: 溶胶疑胶 二氧化锡 透明导电薄膜 sol-gel technique SnO2 transparent and conducting thin film

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7%和4%时,在500℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5Ω,紫外-可见光透射率达88%.