反应磁控溅射Cu2 O薄膜的结构和电学性质

• 作 者: 肖荣辉 林丽梅 郑明志 彭福川 郑冬梅
• 机 构: 三明学院物理与机电工程系,福建师范大学物理与光电信息科技学院
• 出 处: 闽江学院学报
• 发表日期: 2010年5期
• 关键词: CU2O 反应磁控溅射 结构 电学性质 Cu2O reactive magnetron sputtering structure electrical prop
• 基金项目: 福建省自然科学基金资助项目（2007J0317）, 福建省教育厅基金资助项目（JB08065） 福建省教育厅科技项目（JK2009038）, 三明学院科学研究发展基金资助项目（B0820/G）

用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1