氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响

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利用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了沉积时基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明:基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出:基片温度从200℃升到300℃过程中,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为400℃下沉积的膜,其电阻率具有较低值,且在可见光区
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