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本文通过分析Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料的电子漂移速度与电场的非线性关系，研究了Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ金属－半导体－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）的光电响应与指状电极间距离，光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明，光电响应速度存在最佳值。用计算机辅助分析得到的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７ＡｓＭＳＭ－ＰＤ的光电响应时间与偏置电压的关系与实验器件实测结果相一致。研究结果为设计高速响应