【摘 要】
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通过TEM观察发现在金刚石膜与单晶硅片、金刚石膜与A1N陶瓷之间存在一层过渡层，过渡层的存在为金刚石的形核及生长提供了有利的条件，受此启发，为了改善金刚石与基材的结合强度，采
【机 构】
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中国科学院金属研究所!沈阳文化路72号，沈阳,110015,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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通过TEM观察发现在金刚石膜与单晶硅片、金刚石膜与A1N陶瓷之间存在一层过渡层，过渡层的存在为金刚石的形核及生长提供了有利的条件，受此启发，为了改善金刚石与基材的结合强度，采用磁控溅射、空心离子镀、真空蒸镀等方法在MO片上沉积TiC、TiCN（C／N=1／2）、TiCN（C／N=1／10）等薄膜，研究了它们对金刚石膜与基材的结合强度的影响．
The TEM observation shows that there is a transition layer between the diamond film and the monocrystalline silicon film, the diamond film and the A1N ceramic. The existence of the transition layer provides favorable conditions for the nucleation and growth of the diamond. Inspired by this, in order to improve the diamond TiCN (C / N = 1/2), TiCN (C / N = 1/10), etc. are deposited on the MO sheet by magnetron sputtering, hollow ion plating, vacuum evaporation and the like Films, their effect on the bonding strength of the diamond film to the substrate was investigated.
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