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通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成分，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。
X衍射法分析CVD制备SnO_2多晶膜的构成及其对气敏特性的影响
【摘 要】
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通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成分，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1995年2期
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