【摘 要】
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报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃
【机 构】
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北京大学物理系,北京大学物理系,北京大学物理系,北京大学物理系,复旦大学应用表面物理实验室,复旦大学应用表面物理实验室,INFM-Dipartimento di Fisica“A.Volta”dell
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报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 .
The experimental results of the light modulation reflection spectra of Cd1-xMnxTe / CdTe superlattices with x = 0 4,08 high-component diluted magnetic semiconductors grown by molecular beam epitaxy (MEB) technology at room temperature and liquid nitrogen were observed. 11H, 2H, 33H and 11L exciton transition structures, including the quantum confinement effect of sub-level energy and the stress effect caused by lattice mismatch, the sub-level structure was calculated, except x = 0 8 samples of 33H The experimental results are in good agreement with the experimental results, and the results of photoluminescence spectra are also compared.
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