【摘 要】
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Flash俘贮器技术产生在系统内能被变更的非易失的高容量器件。现在已开发了几种生产Flash存贮器的途径。Intel公司的型号叫做隧道氧化物型EPROM(ETOX-EPROM-tunnel Oxide).
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Flash俘贮器技术产生在系统内能被变更的非易失的高容量器件。现在已开发了几种生产Flash存贮器的途径。Intel公司的型号叫做隧道氧化物型EPROM(ETOX-EPROM-tunnel Oxide).这些存贮单元之间唯一的明显差别在于ETOX的浮置栅氧化物较薄,这提供了电的隧道擦除。浮置栅靠量子力学的能垒保持电子,控制存贮单元的阈
Flash memory technology produces non-volatile, high-capacity devices that can be changed within the system. Several ways of producing flash memory have now been developed. The Intel Corp. model is called the ETOX-EPROM-tunnel Oxide. The only significant difference between these memory cells is the thin gate oxide of ETOX, which provides electrical tunneling. The floating barrier relies on the energy barrier of quantum mechanics to hold electrons and control the threshold of memory cells
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