电致发光谱测量β-FeSi2-Si异质结载流子限制

• 作 者: 李成 末益崇 长谷川文夫
• 机 构: 厦门大学物理系,日本国立筑波大学应用物理系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年2期
• 关键词: β-FeSi2-Si异质结 电致发光 带阶 载流子限制 β-FeSi2-Si heterojunction electroluminescence band o
• 基金项目: 福建省青年科技人才创新资助项目 (编号 :2 0 0 4J0 2 1)~~

设计了一种将β-FeSi2颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip-π-n二极管来确定β-FeSi2-Si异质结的能隙差．当二极管处于正向偏置时，通过Sin-p-结注入的电子扩散到β-FeSi2并由于Si与β-FeSi2之间的能隙差而受到限制，电荷在异质结的积累反过来阻挡了电子的继续扩散，将电子局域化在靠近Sin-p-结的p^-Si区，少子的局域化减少了非辐射复合的途径，Si和β-FeSi2的发光增强，淬灭速率变慢，在室温低电流下仍可得到Si和β-FeSi2电致发光．Si和β-FeSi2发光强度的比率对温度的依存