【摘 要】
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在pnp型硅平面系列三极管制造过程中,基区扩散通常由浓磷扩散和淡磷扩散两部分组成.由于工艺复杂,工序繁多,而使器件的成品率一直不高.本文提出了一种无浓磷扩散的新方法,较
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在pnp型硅平面系列三极管制造过程中,基区扩散通常由浓磷扩散和淡磷扩散两部分组成.由于工艺复杂,工序繁多,而使器件的成品率一直不高.本文提出了一种无浓磷扩散的新方法,较好地解决了这一问题.通过一年左右的生产实践,证明此方法是可行的,效果是显著的,可使3CG110的管芯成品率提高8～10%.
In pnp type silicon planar series transistor manufacturing process, the diffusion of base region is usually composed of rich phosphorus diffusion and light phosphorus diffusion. Because of complicated process and many processes, the device yield is not high. The new method of diffusion of concentrated phosphorous has solved this problem well, and proved that this method is feasible through about one year of production practice, and the effect is significant, which can improve the die yield of 3CG110 by 8% to 10%.
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