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正温度系数(PTC)热敏陶瓷常用于低压集成电路的过流保护,为了适应市场对该样品低阻化的要求,人们一般采用还原再氧化的烧结工艺来制备片式PT C热敏陶瓷.本文主要研究了(Bam-xSmx)Ti03(BST) 基陶瓷在还原气氛中1300℃烧结30 m in并在850℃再氧化热处理后其化学计量比和施主掺杂浓度对该样品的电性能及其PTC效应的影响.结果表明,BST基陶瓷样品的化学计量比和施主掺杂量都对该样品的电性能和PTC效应产生影响.随着施主掺杂含量的增加(0.2 -0.5mol% Sm^3+)不同化学计量比样