界面改善对P（VDF-co-CTFE）/BST复合材料介电和储能性能影响

• 作 者: 夏卫民 张志成 陈源清 曹从军
• 机 构: 西安理工大学印刷包装工程学院,西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2012年14期
• 关键词: 复合材料界面 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 钛酸锶钡 储能 composites interface； P（VDF-co-CTFE）； BST； discharged

用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡（BaSrTiO3,BST）陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂（KH550）进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯（P（VDF-co-CTFE））采用0-3方式进行了复合。然后通过溶液流延法在石英片上制备了P（VDF-co-CTFE）/BaSrTiO3复合材料厚膜,并进行了淬火处理。采用XRD、TEM、TGA和SEM表征了纳米陶瓷和复合材料形貌。结果表明KH550可以有效地作用于高介电常数BST陶瓷颗粒表